政府は、最先端半導体製造準備中のラピダスへ出資する法案を準備中である。ラピダスが、いよいよ「飛翔」体制が固まってきたことで、本格支援を目指している。日本が、世界の半導体「王国」を狙う準備の一環として、政府機関の産総研は米インテルと協力して半導体新素材開発へ取組むなど、環境整備が急ピッチで進んできた。

『日本経済新聞　電子版』（９月３日付）は、「インテル・産総研が日本に開発拠点、最先端の半導体素材」と題する記事を掲載した。

米インテルと国立研究機関である産業技術総合研究所（産総研）は、最先端半導体の製造装置と素材の研究開発（Ｒ＆Ｄ）拠点を国内に設置する。半導体は、経済安全保障の重要物資で、欧米などで得た研究データを日本に移転するための審査が厳しくなっている。国内に最先端設備を備えた拠点をつくり、製造装置や素材を開発しやすくする。

（１）「新拠点は３〜５年後をメドに設立し、極端紫外線（ＥＵＶ）露光装置を日本の研究機関として初めて導入する。同装置は回線幅が5ナノ（ナノは１０億分の１）メートル以下の最先端の半導体の生産に欠かせない。産総研が運営主体となり、インテルがＥＵＶを使った半導体の製造ノウハウなどを提供する。総投資額は数百億円規模になる見通し。企業が利用料を支払い、ＥＵＶを使って試作や試験をする。新拠点では米国の研究機関との技術協力や人材交流も検討する」

産総研は、日本の半導体研究において重要な役割を果たしている。２３年１０月、設立された「先端半導体研究センター」（ＳＦＲＣ）は、その一環で指令塔の役割を担っている。

（２）「国内では、最先端半導体の量産を目指すラピダスが製造用のＥＵＶ装置を２４年１２月に導入するが、研究機関はＥＵＶを保有していなかった。ＥＵＶ装置の価格は１台４００億円を超える規模だ。素材や装置メーカーが自前で購入するのは難しく、ベルギーのｉｍｅｃ（アイメック）など海外の研究機関のＥＵＶ装置を使って開発を進めている」

ｉｍｅｃは、先に日本法人を設立したほど積極的である。ラピダスの根拠地である北海道に、研究所を設ける予定だ。

（３）「米中対立が激しくなるなか、米国は中国へのＥＵＶ装置の輸出を規制している。ＥＵＶに関連する装置や素材も審査対象となり、海外で手掛けた研究の成果やデータを日本に持ち込むための手続きに時間がかかる。国内の研究機関にＥＵＶ装置があれば、自社製品への研究成果の活用のハードルが下がる。ＥＵＶ露光装置はオランダのＡＳＭＬホールディングが独占しているが、半導体の製造には６００を超える工程が必要で、関連装置や素材の開発が欠かせない。国内勢ではレーザーテックがＥＵＶ関連の検査装置で１００%のシェアを持ち、ＪＳＲなどは回路を作るのに使う感光材で強みを持つ。

ＥＵＶ装置は、オランダのＡＳＭＬが独占供給している。導入台数が限れているので、海外の半導体研究所も日本で利用可能となる。

（４）「インテルは、新たな研究拠点を通じて国内の素材や装置メーカーとの協業関係を深める。先端半導体を手掛ける大手では、台湾積体電路製造（ＴＳＭＣ）が２２年６月、茨城県つくば市に次世代半導体の研究開発拠点を設立。半導体を最終製品に仕上げる「後工程」向けの素材開発に取り組む。韓国サムスン電子も２４年度内に横浜市に研究拠点を設立する。国内に技術開発の場が増えることで、日本の装置・素材や半導体デバイスメーカーは、最先端技術を身につける機会が増える」

ＴＳＭＣやサムスンは、半導体後工程の研究を進める上で日本素材メーカーとの協力が不可欠になっている。そこで、相次いで日本へ研究部門を設置して、日本企業との接触を増やしている。すでに、日本が世界半導体研究の核になっている。