あじさいのたまご
　　　


米国は、中国の先端半導体製造能力を持たせないように全力を挙げている。米国が、半導体技術の母国だけに基本特許を全て握っている。半導体後進国の中国にとっては、手も足もでない状況に追込まれているのだ。だが、中国は抜け穴探しで「天才的能力」を発揮する。米国と中国の「イタチごっこ」は続きそうだ。 

『中央日報』（１月４日付）は、「中国、ＡＳＭＬ先端装備購入もふさがれた　今後の『先端チップ開発』どうする」と題する記事を掲載した。 

中国の半導体崛起にまたもブレーキがかかった。先端半導体開発に必須のＡＳＭＬの露光装備を輸入する機会が米国政府の圧力で遮断されたためだ。米国の対中先端技術封鎖に対抗し技術内在化を推進した中国が今後どのような突破口を見いだしていくのか注目される。

（１）「外信報道などによると、オランダ政府は半導体装備メーカーＡＳＭＬが深紫外線（ＤＵＶ）装備を中国に輸出するのに必要な免許を一部取り消した。この装備（ＮＸＴ：２０５０ｉ、ＮＸＴ：２１００ｉなど）は中国最大のファウンドリー（半導体委託生産）企業であるＳＭＩＣなどの企業に輸出される品目だ。ＳＭＩＣはこれまでＡＳＭＬから輸入した装備でファーウェイのプレミアムスマートフォンに搭載される７ナノチップを生産していたという」 

オランダ政府は昨年１２月、半導体装備メーカーＡＳＭＬが深紫外線（ＤＵＶ）装備を中国へ輸出するのに必要な免許を一部取り消した。米国政府の要請によるもの。旧装置であるＤＵＶが、先端半導体製造に転用される危険性を止めるためだ。 

（２）「これまで中国は「歯がなければ歯茎で」という戦略で先端半導体を作ってきた。米国の輸出制裁で極端紫外線（ＥＵＶ）露光装備を確保できなかった中国は、ＤＵＶを次善策に選んだ。半導体がますます小さくなりウエハーに光で微細に回路を描く露光工程は核心技術に選ばれる。通常１０～１４ナノ以上の半導体はＤＵＶ方式を使うが、それ以下の微細工程ではＥＵＶ装備が必須だ」 

極端紫外線（ＥＵＶ）露光装備は、軍事転用される恐れのある半導体製造に不可欠なために、すでに米国の要請でオランダは輸出禁止措置を講じている。さらに、深紫外線（ＤＵＶ）装備まで輸出禁止の網をかぶせた形だ。事実上、１９５２年に設けられたチンコム（対中国輸出統制委員会）の復活であろう。

 

（３）「ＳＭＩＣは、ＥＵＶの代わりにＤＵＶ装備で工程を数回繰り返す方式により７ナノチップを開発した。（ファーウェイ・スマホの）「Ｍａｔｅ　６０」の成功で自信を得た中国はＤＵＶ装備で３ナノ工程にも挑戦していた。昨年１２月の外信報道によると、ＳＭＩＣはＤＵＶ装備を使って３ナノ級半導体を作るための研究開発チームを構成し、ＴＳＭＣとサムスン電子で勤務経験がある有名半導体専門家の梁孟松共同ＣＥＯがチームを率いている。このように中国が米国の技術規制をどうにか克服すると米国はオランダに圧力をかけ旧型ＤＵＶ装備の輸出まですべて防ぐに至ったのだ」 

米国は、中国に対して先端半導体製造能力を持たせないことに全力を挙げている。ファーウェイの新型スマホ「Ｍａｔｅ　６０」に７ナノ半導体が使用されたので、一層の警戒観を強めている。 

（４）「中国は、昨年末まで持続的にオランダから半導体装備輸出を増やしてきた。中国海関総署によると、昨年７－９月期に中国がオランダから輸入した半導体装備は前年同期比６倍以上増えた。このうち大部分はＡＳＭＬの露光装備だ。中国は確保したＤＵＶ装備を活用して先端半導体開発を継続するものとみられる。中国国営メディアのグローバルタイムズはこの日、「米国は中国の半導体発展を妨げようとするが、こうした戦術では中国を防ぐことはできない。米国の封鎖戦略はむしろ中国のチップ製造産業が早く発展する触媒剤になるだろう」と専門家の話として報道した」 

中国は、大慌てで旧型の半導体製造装置を輸入しても今後、部品供給が止まるので生産に永続性が保証されるわけでない。

 

（５）「専門家らは、中国が具体的な成果を出すには限界があるとみる。祥明（サンミョン）大学システム半導体学科のイ・ジョンファン教授は「工程を数えきれないほど繰り返さなければならないＤＵＶ装備では実際に量産できるほどの歩留まりを出すのは難しい。特に７ナノ半導体まではやり遂げたとしても、それよりさらに微細な工程である５ナノ・３ナノまで開発するのは不可能に近い。量産に入るならば経済性が深刻に落ちるだろう」と話した」 

中国は、極端紫外線（ＥＵＶ）露光装備を入手できないので、５ナノ・３ナノ半導体生産が不可能とされる。これら先端半導体を生産するには、中国独自の技術体系を編み出さなければならないのだ。 

（６）「中国は、独自の装備開発にもスピードを出している。最近、中国国営半導体企業の上海マイクロエレクトロニクス（ＳＭＥＥ）は２８ナノ露光装備を開発したと公式発表した。これに対してイ教授は「中国はＤＵＶ迂回戦略で時間を稼ぎ、ＥＵＶ装備に代わる方法を探して技術格差を狭めようとするものとみられる。半導体業界では競争で遅れをとらないために完璧でない技術でも先制的に発表するが、（中国の２８ナノ露光装備も）そうした脈絡とみられる」と話した」 

中国は、２８ナノ露光装備を開発したという。これを足がかりに、さらに、上位技術を目指すのであろう。それが、いつになるかだ。